檢索結果：共7筆資料 檢索策略： "電漿處理".ckeyword (精準) and cdept.raw="光電工程研究所"
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
在本研究中二硒化鎢是一種p型半導體，它擁有良好的光電特性，例如載子遷移率和光響應度。不過在半導體的元件應用當中，需要有n型材料與p型材料搭配。因此，本研究中我們透過氧電漿對二硒化鎢進行處理，因為材料…
2
本研究利用化學氣相傳導法成長硒化銦塊材，再以機械剝離法取得硒化銦薄片，先利用電荷中性點確認本質硒化銦為n型，再以掃描式電子顯微鏡觀察樣品表面樣貌，接著用氧電漿進行氧化處理以改變其半導體特性，分別用X…
3
本論文探討分為兩部分，第一部分用微波電漿化學氣相系統(MPCVD)成長奈米鑽石薄膜，利用不同製程氣體比例(氬氣、氮氣、甲烷、氫氣)與氧電漿後處理改變薄膜品質；第二部分探討兩種製程之矽奈米線對pH靈敏…
4
為了改善低溫複晶矽薄膜電晶體電特性與穩定度，本論文以Fluorosilicate glass (FSG)覆蓋在通道層即複晶矽(Poly silicon, poly-si)上，在源極與汲極形成的同時，…
5
6
本研究分為三個部分，第一部分探討奈米碳片結構之氫氣感測器，並進行電性和物性的測量分析；第二部分探討奈米碳片/超奈米鑽石複合結構之氫氣感測器，並進行電性和物性的測量分析；第三部分探討氮化硼/奈米碳片複…
7
本論文探討分為兩部分，第一部利用phosphorus silicate glass (PSG) 擴散製作場發射元件讓表面形成n型半導體降功函數，進而提升p型奈米線線起始電場至3.28 V/μm但其穩…